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去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后,都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净彻底、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。德国ALPHA PLAMSA拥有多年的去胶经验,致力于给您提供专业的微波等离子体去胶机系统,并提供专业的技术支持服务。

 

产品优势:

 

n   去胶快速彻底

n   对样片无损伤

n   操作简单安全

n   设计紧凑美观

n   产品性价比高

产品用途:

 

n   高剂量离子注入光刻胶的去除

n   湿法或干法刻蚀前后的去残胶

n   MEMS中牺牲层的去除

n   去除化学残余物

n   清除浮渣工艺

 

型号参考(详细说明请联系我们)

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SU-8胶的去除:

MEMS工艺中经常用到SU8光刻胶,然而SU8非常稳定,其最致命的缺点就是去胶困难。为了解决SU-8光刻胶的去胶问题,我们向您推荐德国Alpha Plasma专业的SU-8微波等离子体去胶机,该设备采用氟基气体的去胶工艺,利用氟基气体与SU-8胶的化学反应,实现快速去除SU-8功能。同时设备中还集成了温控系统,去胶过程中对衬底温度的控制保证了高深宽比金属结构的完整性,最终实现高质量MEMS器件的制备。SU-8去胶速率验收指标为1μm/min,实验中可达到几个微米。因此这款专业的SU8去胶机是MEMS去胶工艺的理想选择。


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